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驱动SiC MOSFET电源开关

控制SiC MOSFET功率开关与全系列SCALE门驱动器产品

图1。SiC mosfet的优点

碳化硅(SiC) mosfet极大地提高了大功率逆变器应用的开关性能,提供高击穿电场强度和载流子漂移速度,同时提高了热性能。BOB体育平台下载然而,SiC在更紧凑的设计中需要更快的短路保护,这对需要支持不同SiC架构中不同电压的栅极驱动器提出了独特的挑战。

SCALE-iDriver SiC MOSFET栅极驱动ic

PI的新型SIC1182K SCALE-iDriver IC是一款高效的单通道SiC MOSFET栅极驱动器,可在无需外部升压级的情况下提供最高峰值输出栅极电流。它可以配置为支持不同的栅极驱动电压,与当今SiC mosfet的要求范围相匹配。

SCALE-2, SCALE-2+门驱动核心和SCALE-iDriver门驱动ic

除了驱动传统的硅基功率器件,如igbt和MOSFET, SCALE-2和SCALE-2+门驱动核心,以及SCALE-iDriver门驱动ic,都能够驱动SiC MOSFET功率开关。

可选门驱动器产品

SiC为栅极驱动器带来了独特的挑战

来自不同供应商和不同年代的SiC MOSFET开关对栅极开断电压水平有不同的要求。一些设备能够在15v / - 10v下工作,而其他设备,例如,在19v / - 6v下工作。此外,一些器件需要一个调节的开断电压,而另一些则需要一个调节的负关断电压,以确保它们不超过门源安全操作区域。

为了根据不同的要求调整SCALE栅极驱动器,与栅极开断电平相关的正电压轨和负电压轨的电压划分控制(VEE调节器)可以被否决。详情请参阅应用说明AN-1601欲知详情。

图2。SCALE-iDriver通过调整驱动器来匹配V,支持不同的SiC mosfetGS需求


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图3。用VEx / VEE引脚固定不同的SCALE门驱动器

为什么用SCALE门驱动Sic mosfet ?

  • 通过外部VEE电路调节栅极电压
  • <=2 μs短路响应时间
  • 输出电流能力强
  • 高隔离能力
  • 先进的dv/dt反馈主动夹紧
  • 高开关频率可达500khz
  • 适用于击穿电压高达4.5 kV的SiC MOSFET
  • 高MTBF/低FITrate
  • MOSFET模块的并联
  • 适用于所有SiC MOSFET设计
图4。SiC MOSFET短路检测设置

SIC1182K综合保护特点

  • SiC高级主动夹紧
  • 超快短路监测
  • 过流故障关断
  • 一次和二次欠压锁定(UVLO)
图5。SIC1182K保护功能