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驱动SiC MOSFET电源开关

控制SiC MOSFET电源开关与全方位的SCALE门驱动器产品

图1。SiC mosfet的好处

碳化硅(SiC) mosfet显著提高了高功率逆变器应用的开关性能,提供高击穿电场强度和载流子漂移速度,同时提高了热性能。BOB体育平台下载然而,SiC要求在更紧凑的设计中提供更快的短路保护,这对门驱动程序提出了独特的挑战,需要在不同的SiC架构中支持不同的电压。

尺度驱动SiC MOSFET门驱动ic

PI的新型SIC1182K SCALE-iDriver IC是一种高效的单通道SiC MOSFET门驱动,无需外部boost级即可提供最高的峰值输出门电流。它可以配置为支持不同的门控驱动电压,以匹配当今SiC mosfet的要求范围。

SCALE-2, SCALE-2+门驱动核心和scale - Driver门驱动ic

除了驱动传统的硅基功率器件,如igbt和MOSFET, SCALE-2和SCALE-2+门驱动核心,以及SCALE-iDriver门驱动ic,能够驱动SiC MOSFET电源开关。

可用的门驱动产品

SiC为门驱动程序带来了独特的挑战

来自不同供应商和不同型号的SiC MOSFET开关对栅极打开和关闭电压水平有不同的要求。一些设备能够在15v / - 10v的电压下工作,而另一些设备,例如,在19v / - 6v的电压下工作。此外,一些设备需要调节的打开电压,而另一些则需要调节的负关闭电压,以确保它们不超过门源安全操作区域。

为了根据不同的要求调整SCALE栅驱动程序,可以推翻与栅通断电平相关的正负电压轨的电压分配控制(VEE调节器)。请参考应用程序指出一个- 1601为更多的细节。

图2。SCALE-iDriver支持不同的SiC mosfet通过调整驱动器匹配VGS需求


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图3。用标记的VEx / VEE销钉固定不同的SCALE门驱动器

为什么用比例门驱动驱动Sic mosfet ?

  • 通过外部VEE电路调节门电压
  • <=2 μs的短路响应时间
  • 高输出电流能力
  • 高隔离能力
  • 先进的dv/dt反馈主动夹紧
  • 开关频率高,可达500khz
  • 适用于SiC MOSFET击穿电压高达4.5 kV
  • 高平均无故障时间/低FITrate
  • 并联MOSFET模块
  • 适用于所有SiC MOSFET设计
图4。设置SiC MOSFET短路检测

SIC1182K的综合保护功能

  • SiC高级主动夹紧
  • 超快的短路监控
  • 过流故障断开
  • 一次和二次欠压锁定(UVLO)
图5。SIC1182K保护功能