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SID1102K

多达5个单通道IGBT/MOSFET栅极驱动器,提供高达1200 V IGBT和MOSFET的增强隔离

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IGBT电压等级 1200 V
栅极峰值电流(最大) + 5
最大开关频率 75.0千赫
支持的模块类型 IGBT, n通道MOSFET
逻辑输入电压 5
保护功能 基本主动夹紧,Adv软关机,动态Adv主动夹紧,短路,UVLO(秒侧),UVLO(pri侧)
技术 SCALE-iDriver
接口类型
支持拓扑bob电竞体育平台app 2级电压源,3级np -箝位- 1型,3级np -箝位- 2型,多级np -箝位
供电电压(类型) 5伏
隔离型 钢筋
隔离技术 Fluxlink
时间-产量下降 14 ns
时间-产量上升 29 ns
驱动方式 Direct-Independent
主要/外围 N/A
并联支持吗? 没有

제품상세정보

SID1102K是一款单通道IGBT和MOSFET栅极驱动器,采用eSOP宽体封装。Power integrics的创新固体绝缘体FluxLink™技术提供了增强电隔离。高达5 A的峰值输出驱动电流使产品能够驱动额定电流高达300 A的设备。升压级可用于超过5a的栅极驱动器要求,AUXGL和AUXGH输出引脚可驱动外部n通道mosfet达60 A。

控制器(PWM)信号兼容5 V CMOS逻辑,也可以通过使用外部电阻分压器调整到15 V电平。二次侧电压管理提供+15至-10 V的双极栅驱动电压,而只需要+25 V单极电压。+ 15v栅极驱动电压由芯片内部的V型稳压器调节。欠压注销关闭门信号,并保持IGBT或MOSFET在一个安全的操作。

  • IGBT栅极驱动器,可广泛灵活地驱动IGBT模块至1200v, IGBT电流50 A至3600a。
  • 单通道提供高达5个峰值门驱动电流没有助推器
  • 辅助输出外部高和低侧n通道升压级,增加峰值驱动电流高达60A
  • 欠压退出
  • 集成的FluxLink技术在主端和二级端之间提供安全隔离
  • 轨对轨稳定输出电压
  • 二次侧单极供电电压
  • 适用于600v / 650v / 1200v IGBT和MOSFET开关
  • 开关频率高达75千赫
  • 传播延迟抖动±5 ns
  • 工作环境温度-40℃~ 125℃
  • 高共模瞬态抗扰度
  • eSOP包装具有9.5毫米漏电和间隙

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