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比例EV

刻度级ev evゲートカーバイドカーバイドカーバイド(Sic)mosfet sosfetとIgbtとシリコンののに対応し,认证取得済み済みデュアルデュアルののプラグアンドプラグアンドプレイプレイです。これらこれら机械を电気,,燃料自动自动车向けの,电力电力ののの自动自动自动车车车车车及び及び及び及び及びインバータインバータインバータインバータににに适し适し适し适し适し适し适してててててててててていいい基板基板です。

产品
制品
データシート
概要
トポロジー
最大绝縁电圧
パワースイッチ
2SP0215F2Q0C(安装)
2SP0215F2Q0C
牵引逆变器

1200 VのInfineon™EconoDual™17 mm Igbtパワーパワー向けの,,认定认定したプラグアンドプレイ,,デュアルデュアル

数据表pdfを表示 描述

1200 VのInfineon™EconoDual™17 mm Igbtパワーパワー向けの,,认定认定したプラグアンドプレイ,,デュアルデュアル

拓扑集成的半桥 最大故障电压1200 v 电源开关IGBT